SiLM2660/61是（shì）用于电池充电/放电系统控制（zhì）的低功耗、高边（biān）N沟道FET驱动器。高边保护功能可避免系统（tǒng）的接（jiē）地引脚断开连（lián）接，以确（què）保电池组和（hé）主机系统之间（jiān）的持（chí）续通信。SiLM2660具有额外的（de）PFET控制输出，以允（yǔn）许对深度放电的电池进行低电流预（yù）充电，并且还集成了用于主机（jī）监控的（de）电池PACK+电压检测（cè）。
独立的使（shǐ）能输入接口（kǒu）允许电池（chí）充电和放电（diàn）FET分别导通（tōng）和关断，为电池系统保护提（tí）供（gòng）可靠性（xìng）和设（shè）计灵（líng）活性。
高（gāo）边（biān）NFET驱动器，具有极短的开启和关闭时间（jiān），用于迅（xùn）速保护（hù）电池。
预充电PFET驱动器为深度耗（hào）尽的电池（chí）组提供电流限制的预充电功能(仅适用于SiLM2660)。
充电（diàn）和放（fàng）电的独（dú）立（lì）使能控制。
基于（yú）外部电容器可扩展的电荷（hé）泵，可适用多颗NFET并（bìng）联驱动。
高的输入耐（nài）压值（zhí）（最大100V）。
可配置的电池组电压（yā）检测（cè）功能（néng）（仅适（shì）用于（yú）SiLM2660）。
支持可配置的通用和独立充电（diàn）和（hé）放电路径管理。
低功耗（hào）：正常模式：40uA；待机（jī）模式：小于10uA。
400 080 9938
