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SiLM2014A

200V低压驱动芯片

样片申请

SiLM2014A_Datasheet

产（chǎn）品概述（shù）

产品特性

安规认（rèn）证

典型应用图

产品概述

SiLM2014A 是一款（kuǎn）高压（yā）、高速的功率MOSFET和（hé）IGBT驱动器（qì）。采用专有（yǒu）的高压（yā）集（jí）成电路和锁存免疫的CMOS技（jì）术（shù）可提（tí）供可靠（kào）的单芯片驱动方案。逻辑输入电平与标准CMOS或（huò）LSTTL输出兼容，最（zuì）低支持（chí）3.3V逻辑。输出驱动器（qì）具有（yǒu）高脉冲电流缓冲级，以（yǐ）减（jiǎn）小驱动器交叉导通。浮动通道（dào）可（kě）用于驱动高边配置的N型沟道（dào）功率MOSFET或IGBT，工（gōng）作电压可高达200V。

产（chǎn）品特性

为自举操作设计的浮动通道

完（wán）全运行时电压高达 200V

容许瞬间负电压，不受 dV/dt 影响（xiǎng）

驱动电源范围从 10V 到 18V

欠压闭锁

3.3V、5V 和 15V 逻辑输入兼容

驱（qū）动电流：1A/1.5A

防止交叉导（dǎo）通逻（luó）辑

两通道（dào）间（jiān）匹（pǐ）配传输（shū）延迟（chí）

输出信号与（yǔ）输入信（xìn）号同相

通（tōng）过（guò）无铅认证（zhèng）