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SiLM2004E

200V低压驱动芯片

样（yàng）片申请

SiLM2004E Datasheet

产（chǎn）品概述

产品特性

安规认证

典型应（yīng）用图（tú）

产品概述

SiLM2004E 是（shì）一款（kuǎn）高压、高速的功率MOSFET和（hé）IGBT驱动器。采用专有的高压集成电路和锁存（cún）免疫的CMOS技（jì）术可提供可靠（kào）的单芯（xīn）片驱动方案。逻辑输入电平（píng）与标（biāo）准CMOS或LSTTL输出兼容，最低支持3.3V逻（luó）辑。输出驱动器（qì）具有（yǒu）高脉冲电流（liú）缓冲级，以减小驱（qū）动器交叉导通。浮动通道可用于驱动高（gāo）边配（pèi）置的（de）N型沟道功率（lǜ）MOSFET或IGBT，工作电压可高达（dá）200V。

产品（pǐn）特性（xìng）

为自举（jǔ）操作设计的浮动通道

完全运行时电压高（gāo）达 200V

容许瞬间负（fù）电压，不受 dV/dt 影响

驱动（dòng）电源范（fàn）围从 10V 到 18V

欠压闭锁

3.3V、5V逻辑输入兼容

驱动（dòng）电（diàn）流（liú）：290 mA/600 mA

防止交叉（chā）导通逻辑

两（liǎng）通道间匹配传输延迟（chí）

通过无铅（qiān）认证

提供 SOP-8 封装选项（xiàng）