SiLM27519 器件是单通道高速（sù）低边门（mén）极驱动（dòng）器，可有效（xiào）驱动 MOSFET 和 IGBT 等（děng）功（gōng）率开关。SiLM27519 采（cǎi）用一种能够从内部极大（dà）的降低直通电流的设（shè）计，将高峰（fēng）值（zhí）的源电流（liú）和灌（guàn）电流脉（mò）冲提供给电容负载，以实现轨到轨的（de）驱动能力（lì）和典（diǎn）型值仅为 18ns 的（de）极小传播延迟。
SiLM27519 在（zài） 12V 的（de） VDD 供（gòng）电情（qíng）况下，能够提供 4A 的峰（fēng）值源（yuán）电流和（hé） 5A 的峰值灌电流。
低成本（běn）的门极驱动方案可（kě）用于（yú）替代 NPN 和 PNP 分离器件方案
4A 的峰值（zhí）源电流和 5A 的（de）峰值（zhí）灌电流能力（lì）
快速的传（chuán）输延时（典型值（zhí）为 18ns）
快速的上（shàng）升和（hé）下降时间（jiān）（典（diǎn）型值为 7ns/5ns）
4.5V 到 20V 的（de）单电源范围
VDD 欠压闭锁功（gōng）能
兼容 TTL 和 CMOS 的输入逻辑电（diàn）压阈（yù）值
双输入设计（jì）(可选择（zé）反相或非反相（xiàng）驱动配置)
输入浮空时（shí）输（shū）出保持为低
工作温度范（fàn）围为（wéi） -40°C 到140°C
提供 SOT23-5 的封装选项（xiàng）
400 080 9938
