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SLM2003S

200V低压驱动（dòng）芯片

样片（piàn）申请

SLM2003S Datasheet.

产（chǎn）品概述

产（chǎn）品特性

安规认证

典型应用图

产品概述

SLM2003S 是一款（kuǎn）高压、高（gāo）速的（de）功率MOSFET和IGBT驱动器（qì）。采用（yòng）专有的高压（yā）集（jí）成（chéng）电路和锁存免疫的CMOS技术（shù）可提供可靠的单芯片（piàn）驱动方案（àn）。逻辑输入电平与标准CMOS或LSTTL输出兼容，最低支持3.3V逻辑。输出驱动器（qì）具有高脉冲电流缓冲级，以减小驱（qū）动器（qì）交叉（chā）导通。浮动通道可用于驱（qū）动高边（biān）配置（zhì）的N型沟（gōu）道功（gōng）率MOSFET或IGBT，工作（zuò）电（diàn）压可高达200V。

产（chǎn）品（pǐn）特性

为自（zì）举操作设计（jì）的浮（fú）动通道

完全运行时电压高达 200V

容许瞬间负电压（yā），不（bú）受 dV/dt 影（yǐng）响（xiǎng）

驱动电（diàn）源范围从 10V 到 20V

欠（qiàn）压闭锁

3.3V、5V 和 15V 逻辑输入兼容（róng）

驱动电流：290 mA/600 mA

防止交叉导（dǎo）通逻辑

两通道间匹配传输延迟

通（tōng）过无铅认证

提供 SOP-8 封装选项