SLMi350新品介绍

SLMi350采用DIP8GW封装，其峰值驱动电流能力（lì）达2.5A，通过采用（yòng）业界领先（xiān）的双电容隔离技术（shù）和（hé）“OOK”传输技术，实现了5kVrms的隔离电（diàn）压（yā）和（hé）高达10kV的（de）隔（gé）离浪涌电压，并具有超过150kV/us的共模瞬（shùn）态抗扰度（CMTI），保证了（le）在（zài）极端恶劣工作环境下，可靠稳（wěn）定地工作（zuò）。另外（wài），SLMi350可广（guǎng）泛应用于电机驱动，不间（jiān）断电源（UPS），EV充（chōng）电，逆（nì）变器（qì）等领域。其封装为图1所示 DIP8GW，提供大于7.0mm的（de）爬电和（hé）间隙距（jù）离。

图1. SLMi350封装图

SLMi350的IGBT的驱动电（diàn）路

提供互（hù）锁保（bǎo）护功能的（de）SLMi350的（de）IGBT驱动电路如图（tú）2所示，由于同一桥臂上的两个IGBT的控制信号重（chóng）叠或开关器件（jiàn）本身延时过长等原因，使上下两个（gè）IGBT直通，桥臂短（duǎn）路，此时电流的上升率和（hé）浪（làng）涌冲击（jī） 电（diàn）流都很大，极易损（sǔn）坏IGBT。由于SLMi350支（zhī）持输（shū）入互锁保护（hù）功能，可有（yǒu）效防止上下管的直通问题，严格（gé）防止了（le）臂桥短路引起过流情（qíng）况的出现（xiàn）。

图2. 提供互锁保（bǎo）护功能的SLMi350的IGBT驱动电路

SLMi350的显（xiǎn）著（zhe）优势

通（tōng）过如图（tú）3所示的性能比（bǐ）较可以（yǐ）看（kàn）出, SLMi350和市场上主流的国际大厂的光耦隔离驱动或是电容隔（gé）离驱动相比，优势极（jí）为（wéi）显著：

• 输入端抗负压能力（lì）更强（qiáng）；

• 输出端电（diàn）压（yā）耐压范（fàn）围更宽；

• CMTI抗干扰能力更加出（chū）众；

• 工作温度更宽。

图3. SLMi350的性能比（bǐ）较

结论

目前，SLMi350已经（jīng）在变频器（qì），逆（nì）变（biàn）器（qì），UPS，感应加热等不同领（lǐng）域客户测试通过，现可（kě）进行大批量供应, 欢（huān）迎广大客户朋友到（dào）数（shù）明官网进行样品或评估（gū）板（bǎn）的申请。